随着近几年来中国半导体工业的发展，各种形式的3d晶体管技术在电子芯片中的应用逐渐加大，其延伸物理模型也得到日益关注。
3d晶体管物理模型是指在一定空间尺度上，把量子力学的微观机理真实地建模出来，从而帮助电子技术人员实现对量子加工机制的清晰认识；它也是电子芯片构造和电路模拟技术的重要补充，能帮助人们提高电路的性能。
近几年来，国内外科学家针对3d晶体管物理模型开展了大量研究，目前主要从两个方向进行：一是精确建立3d晶体管物理模型，能有效模拟3d晶体管新型材料的量子加工机制；二是开发晶体管电路模拟软件，能有效建立物理模型，并实现对物理模型的模拟计算。
3d晶体管物理模型的建立和模拟计算，为了解普通电子技术人员较难掌握的复杂量子机制，可以看得见摸得着，帮助电子专业人员认知电子芯片以及芯片电路的构造和性能，为其进一步的优化提供依据，是未来3d晶体管技术及电子芯片事业的研发投入非常重要的一环。
未来3D晶体管物理模型的发展潜力被大家期待，希望能够进一步提升电子芯片质量，实现更大的应用，让电子技术站在全球科技发展的最前沿。
证明一下
3d晶体管物理模型的优势甚至具有潜力可以解决所有科技发展所面临的挑战。它可以帮助电子技术人员实现对量子加工机制的清晰认识，建立晶体管电路模拟软件，从而帮助人们提高电路的性能。更重要的是，3d晶体管物理模型可以为全球科技发展提供崭新的突破，使3D晶体管技术及电子芯片事业取得新的进展。
