晶体管FET（半导体双极型场效应管）在电子技术领域应用非常广泛，它作为运放具有很大的优势，但是它也存在着一定的噪声源。特别是在很小的晶体管Vac（栅偏声明）时，则更加明显。
晶体管Vac的噪声源首先来自晶体管元件的元件本身。一般来说，晶体管内部的电容有一定的熔断流动，这将使晶体管内部产生很多的电容噪声。此外，晶体管元件的内阻也会产生很多噪声。这就是Vac噪声源的主要原因。
此外，还有其他杂散因素也使晶体管Vac噪声加剧，比如恒流、外界干扰、交流电压干扰等等。尽管如此，噪声源的主要原因还是来自晶体管Vac元件本身。
要想降低晶体管fet噪声，需要采取一定的措施。首先要确定元件的配置及规格，以确保元件性能满足设计要求，减少元件噪声。其次，可采取外部加热方式如过扭矩和热电偶的形式来减少噪声，同时保证控制过程的准确性。最后，应加强外界环境处理，以降低外界干扰，减少晶体管FET噪声。
总之，晶体管FET噪声要克服，有必要在设计时就采取有效的措施，以期获取高性能的产品。只有通过充分利用晶体管Vac特性，系统中的噪声源才能得到有效抑制，这也是晶体管FET应用的成功的关键因素。
