双栅场效应管（简称DFET）是非晶硅微小电子器件，主要应用于电子测量、射频功率放大和宽带器件等。DFET作为现代微小电子工艺中的关键电子元件，对于微波射频技术的发展和应用具有重要意义。
双栅场效应管有很多型号，根据电路的不同采用的型号也不相同。其中最常见的DFET型号有P18CXX series、MFR1840N、QSD2040和UMA1800等。
其中P18CXX系列型号的双栅场效应管具有良好的工作稳定性和精度，在宽范围的温度和电压条件下都能提供精确的非线性参数测量能力，可用于微处理器管理的自动测量系统，具有良好的及时响应、低失真和质量稳定性。
MFR1840N是一种高功率双栅场效应管。广泛用于电力放大、像素检测、信号放大器、功率加强等应用场合。QSD2040则是一种射频高功率双栅场效应管，具有高稳定性、高可靠性和低失真性，在射频放大器、频率合成器和多功能系统中都可以使用。
最后UMA1800是一种集成电路的双栅场效应管，具有低功耗特性和高增益，能够提供高效率的无线应用场景，例如蓝牙、Wi-Fi和4G网络等。
总之，双栅场效应管型号层出不穷，针对不同应用场景依然各有擅长之处。任何应用领域如果要搭配对应的型号，都需要事前考虑其电路的特性，以满足其功能的需求。
